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SPPテクノロジーズ株式会社の高精度シリコン深掘り装置"ASE-Predeus"は従来のASE-Pegasusと比較し、面内均一性±4%から±3%に、また角度制御は8インチで0.1°未満に向上しています。
MEMSファンドリ開発
MEMS Foundry Development
お客様のご要望を元に、設計検討から試作開発までをワンストップで対応いたします。
薄膜生成やSi深掘り加工といった各プロセスにおける高い技術の他、
自社及びグループ会社による製造装置の開発に至るまで様々な局面でのサポート体制を整えています。
サービスフロー
開発構想段階から当社にご相談いただき、設計・開発検討を含めたご提案を行わせていただきます。
お客様のご要望や将来的な構想などを伺いつつ、何度かのお打ち合わせを重ね、最良の解答を導き出していきます。
各過程で気になる点や確認事項があれば気兼ねなくご確認ください。
当社が開発し、関連会社のシリコンセンシングシステムズ社が量産、販売しているジャイロであるCRM/CMSにて2010年から量産実績のあるPZTの成膜およびエッチングをMEMSファンドリにて提供することが可能です。
センサ・MEMSデバイス応用事例
Si深掘り加工（Si DRIE）のMEMSファンドリサービスなら当社にお任せください。当社は世界で初めて量産用ボッシュプロセスSi DRIE装置を開発販売し、日本国内ではSPTブランドでエッチング装置を提供しております。
長年のデバイス量産経験による加工実績からプロセスレシピと生産ノウハウを豊富に保有しています。また、MEMSアクチュエータを作製する際、懸念となる機械的強度改善に有効な100nm以下の低スキャロップ加工が可能です。
SPPテクノロジーズ株式会社の高精度シリコン深掘り装置"ASE-Predeus"は従来のASE-Pegasusと比較し、面内均一性±4%から±3%に、また角度制御は8インチで0.1°未満に向上しています。
| 工程 | プロセス仕様 | |
|---|---|---|
| エッチング | Si深掘り | L/S(min)：1.5μm ホール：φ10μm 最大アスペクト比：100 貫通加工対応可 |
| ドライエッチング | L/S(min)：3μm 金属膜、酸化膜、SiC、PZT |
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| 犠牲層エッチング | L/S(min)：1μm | |
| ウェットエッチング | Au、AI、Ti、Cr etc | |
| フォトリソ | レジストコート | 膜厚(max)：10μm 均一性：5％ スプレーコート対応可 |
| 露光 （ミラープロジェクション） |
L/S(min)：1.5μm | |
| 露光 （コンタクト） |
L/S(min)：3μm 両面露光対応可 |
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| 露光 （ステッパー） |
L/S(min)：1μm | |
| 現像 | ||
| 成膜 （スパッタ） |
PZTスパッタ ※1 |
膜厚：1～5μm ※標準膜厚：3μm 比誘電率：900 注1 圧電定数(d31)：220～240pm/V 注2 注1,2の値は、SSP標準膜厚、膜構成によります。 |
| 金属膜スパッタ ※2 |
膜厚：10nm～5μm 均一性：±10％ Au、Pt、AI、Cr、Ti |
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| 酸化膜スパッタ ※3 |
膜厚：2μm以下 均一性：±10％ |
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| 成膜 （CVD） |
PE-CVD SiO2（TEOS） ※3 |
膜厚：10nm～5μm 均一性：±5％ |
| PE-CVD SiN ※3 |
膜厚：10nm～5μm 均一性：±5％ ※応力コントロール可 |
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| 成膜 （ALD） |
Atomic Layer Deposition ※4 |
AI203他 |
| 酸化・アニール | 熱酸化 | 膜厚：1μm以下 均一性：10％ Wet/Dry混合 |
| アニール | ||
| 接合 | 陽極接合 （封止可） |
封止内部圧力：>0.01Pa |
| ガラス加工 | ブラスト加工 | L/S(min)：15μm ホール(min)：φ50μm |
| ウェットエッチング | L/S(min)：10μm 深さ(max)：300μm |
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| バックエンド | ダイシング | |
| バックグラインド | 面内分布：5μm | |
| 評価 | XRF、EDX Zygo、SEM 段差計 レーザー顕微鏡他 |
対応可能ウエハサイズ：4～8インチ
記載外の工程もお気軽にご相談下さい。
※1 圧電薄膜の特性については、弊社カンチレバーでの代表値です。
※2 Au,Pt,Al,Ti,Crその他金属膜についてもお気軽にご相談下さい。
※3 絶縁膜は各種成膜方法での代表値です。詳細についてはお問い合わせ下さい。
※4 Al2O3その他保護膜についてもお気軽にご相談下さい。