Si深掘り加工
（Si DRIE："Bosch-Process"）
の仕組み

ボッシュプロセス"Bosch-Process" はドイツのRobert Bosch GmbH社によって1992年に開発された
エッチングとパッシベーション（側壁保護膜形成）を繰返しながら行う切り替えエッチング方式です。
当社ではグループ会社のSPP テクノロジーズ社の各種装置を使用しており、
研究試作から量産までの各用途で加工精度や生産性を高めた装置を高い技術を用いて取り扱うことができます。

Si深掘り加工の進化

自社開発の装置の機能向上によって、大幅なエッチレートの向上が進んでいます。

Si深掘り加工の進化：形状制御性の向上

自社開発装置の形状制御性が高まり、深掘り加工を行っても安定した形状を再現できます。

200mmウエハのエッジ3mmまで、
Tilt角度 0.1°以下を安定して再現

（a）高速スイッチングによる側壁粗さ低減
（側壁粗さ16nm、40µm深さ）

（b）SOIウエハでの酸化膜界面におけるノッチ低減
（3µm幅、100µm深さ、オーバエッチ30%）

（c）パラメータランピング
（5µm幅、200µm深さ、アスペクト比40）